Ansys 认证的半导体解决方案将使法拉第缩短 2.5D/3D-IC 的设计周期，并确保设计满足信号完整性和性能目标
/ 关键亮点
法拉第科技公司将使用 Ansys RaptorX™ 芯片内电磁 (EM) 建模解决方案，提升 2.5D/3D 集成电路 (IC) 高级封装设计的开发
Ansys 解决方案将使法拉第优化其互连器和多晶片设计，支持终端应用更好的存储带宽、信号完整性和性能
匹兹堡，2024 年 10 月 2 日 / 美通社 / ——领先的半导体行业公司法拉第科技公司正在扩大对 Ansys (NASDAQ: ANSS) 技术的使用，以加强其在开发多晶片 2.5D/3D-IC 高级设计中的能力 —— 这对于人工智能 (AI)、物联网 (IoT) 和 5G 应用来说至关重要。
在 Ansys 的支持下，法拉第将赋能其客户探索更强大的设计选项，以用于更具创新性的产品。法拉第作为领先的专用集成电路 (ASIC) 设计服务和 IP 提供商，支持客户进行芯片设计项目。近日，法拉第宣布推出 2.5D/3D-IC 高级封装服务，以应对对多晶片设计的爆炸性需求，这些设计旨在实现更好的性能和更低的能耗。
为了满足这一需求，工程师需要适当的多物理场分析工具，以验证芯片设计在生产前包含可靠的信号和结构完整性以及可靠的电力分布。这个挑战因开发更密集、更容易受到电磁问题影响的芯片趋势而变得更加复杂。将 RaptorX 引入设计流程将使法拉第能够在其开发过程中提高精度和效率。此外，它还能为先进的 3D-IC 产品提供预测性准确的电磁建模和分析，确保数据传输符合严格的现代标准。
这将提高设计的保真度、增强性能和可靠性，并加速上市时间。“我们广泛的硅 IP 使我们的客户能够从坚实的基础开始设计，从而专注于创新，并在市场上实现差异化，”法拉第研发副总裁 C.H. Chien 表示。“生产成本非常昂贵，容错空间几乎为零。因此，保持整体项目成本低至关重要，而这一切从初始设计开始。
有了 RaptorX 的加入，我们可以为客户提供包含设计验证和签核，以及访问顶级测试和生产服务的高效工作流程，消除对芯片性能和寿命的疑虑。”